近年来备受关注的低维半导体纳米结构，由于其优异的电子发射性能，在显示器、X射线管、电子发射枪等真空电子领域，具有诱人的潜在应用前景。然而真正推动其工业应用，仍面临诸多挑战。其中，如何大幅度降低低维纳米结构阴极材料的开启电场，获得具有综合优异电子发射能力的场发射阴极材料，是该领域面临的主要困难和挑战之一。

     近期，我们通过对SiC纳米材料形貌的控制和优化，采用表面均匀非致密修饰Au纳米颗粒，达到了提高电子发射点数量、降低功函数和强化局域场强增强效应的显著效果。与未经Au纳米颗粒修饰的SiC纳米线相比，其开启电场降低一倍左右，实现了其开启电场的大幅度降低。此项研究将为具有综合优异电子发射性能的半导体场发射阴极材料的研发及其器件化应用，提供有益借鉴和参考。

     相关研究成果以本人为共同第一作者，清华大学谢志鹏教授和宁波工程学院杨为佑研究员为通讯作者，发表在J.Mater.Chem.C上，并被选为封面论文。

     论文链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/tc/c5tc03388h#!divAbstract 

     以上研究得到国家自然科学基金(51372122,51372123,51572133)、中国博士后科学基金(面上一等资助,2015M580529)等项目的资助。