作为典型的一维纳米材料，碳纳米管具有优异的电学、力学和化学性质，因此在纳米电子器件、复合材料和催化剂等领域展现出了广阔的应用前景。目前，商业碳纳米管主要通过化学气相沉积法（CVD）制备。其原理是通过催化剂的作用裂解气相碳源，在基底上形成碳纳米管。然而传统的CVD法需要在制备过程中持续通入甲烷、乙醇等特定气体作为碳源，不仅大大增加成本，同时具有一定的安全隐患。因此，探索利用固体碳源制备碳纳米管逐渐成为近年来的研究热点。

 最近，我们课题组在固体碳源制备碳纳米管的技术上取得突破，提出了一种低温下（850^oC）利用固体碳源，通过KOH辅助原位气相沉积制备碳纳米管的新方法。该方法以普通固体生物质做碳源，并添加催化剂前驱体，在800^oC下进行初步石墨化，同时将催化剂（Ni）纳米颗粒均匀嵌入碳基体内部，形成石墨化碳与金属镍复合的中间体。在此基础上添加KOH，850^oC下进行二次煅烧，在KOH与金属催化剂的作用下，发生碳的催化气化反应，持续释放含碳气体（如CO等），同时以此为碳源进行原位气相沉积，成功实现了从普通石墨化碳材料到碳纳米管的转变。其中碳纳米管的产率与添加KOH量相关。将所得材料用于超级电容器，表现出优于商业碳管6倍的比电容。该工作已发表在Journalof Materials Chemistry A，2016,4, 2137-2146，(相关链接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/ta/c5ta09631f)。该方法还可以拓展到多种固体碳源。