郑婷 南海燕 吴章婷 倪振华

东南大学物理系

摘要  以二硫化钼(MoS2)为代表的二维过渡金属硫属化合物(TMDs)具有随厚度/层数变化的光学和电学性质，并且展示出独特的激子效应和较高的光学量子产率，在光电子器件中有重要的应用前景。近年来，基于TMDs材料的光学性质和光电器件研究进展迅速，如：通过电场、化学掺杂、缺陷等方式实现了对其荧光的调控，并极大地提升了其荧光发射量子产率;基于TMDs边带异质结和垂直异质结的发光二极管(LEDs)被广泛研究并获得了较高的光发射效率;以TMDs作为增益介质，并将其与微盘、光子晶体空腔等耦合实现了低阈值激光发射。本文中我们将从TMDs的结构和光学性质出发，总结TMDs材料荧光的调控手段及效果，并介绍TMDs中激光发射的研究进展，最后对基于TMDs的光电子器件的发展进行展望。

（本文发表在《激光与光电子学进展》2017年第4期，点击阅读全文）