相比于硅材料，锗材料具有更高的三阶非线性系数和更大的折射率，被认为是一种极具潜力的中红外非线性材料。然而，与传统的硅基器件相比，片上集成的锗基光学器件的发展较慢。在这项工作中，我们的课题组联合东京大学高木-竹中实验室，山下-薛实验室，以及香港中文大学曾汉奇教授课题组，共同开发了目前所报道的Q值最高的锗基微环谐振腔。我们采用Smart Cut的方法制作了锗-绝缘体晶圆（GOI），设计了悬空薄膜集成平台，在中红外波段实现了一个loaded-Q值达到57000的锗基微环谐振腔。未来我们将进一步改善提高器件质量，并展开非线性的研究。此项论文已经连续三天被列为Optics Letters的Today's Top Downloads论文。

https://www.osapublishing.org/ol/abstract.cfm?URI=ol-43-12-2885