A low-cost built-in error correction circuit design for STT-MRAM reliability improvement

1        STT-MRAM通常用于logic computing，cache 和storage方面

2        通过“XOR”编码器和一步多数投票解码器，比传统ECCs相比，需要更小的面积和更高的速度；

3        模块化的编解码器结构，依系统需求对错误位进行修正；

4        原始比特误码率：原始比特误码率(RBER)是指在使用ECC之前的比特误码比率（Raw Bit Error Rate),原始比特误码率反映了Nand Flash最原始的可靠性状态。原始误码率越高，反映出Nand Flash可靠性越差。

5        提高可靠性，self-enable switching, advanced thin film techniques and sensing circuits。the final BER is still high (>10^-5)，用ECC纠错电路可解决此问题。

6        logic computing纠错常用 Triple Modular Redundancy Code（TMRC）和hamming码，但是TMRC面积大、功耗大，hamming码只能对一位进行纠错。

7        mass store多用BCH和LDPC进行错误码纠正，因为复杂度高、解码延迟大，所以不用在logic computing中。

8        MTJ写的过程中，由于MTJ器件本身具有一定的随机性所以会导致写的错误，可以通过（1）增大电流（2）增加电流通过时间，来解决写入问题。

9        MTJ读的过程中，由于（1）读干扰和（2）读取错误，产生MTJ器件读取错误；（1）读干扰，由于在读的过程中可能会有不应该翻转的器件进行翻转，对读取造成影响；通过限制热稳定性和读电流的累加进行预防。（2）读取错误，由于读取电路的sensing margin过大，让区分度尽量小，识别率高。

Orthogonal Latin Square Code (OLSC)，

10     原始错误比特位（BER），在对电路性能进行测试时，可以改变的变化量：

（1）   TMR ratio；（2）Resistance.Area product (R.A) (Ohm.μm2)；（3）CMOS transistor size (nm)。