前期回顾：

前期我们对晶体的缺陷有了基本理解，晶体中缺陷的存在对其物理化学性质有着重要的影响，在多相催化中更是起到了关键的作用。根据缺陷范围，我们可以分为点缺陷，线缺陷(位错），面缺陷等，其中我们着重研究点缺陷，根据点缺陷存在形式，我们分为热缺陷，杂质缺陷，非化学计量缺陷等，下面我们结合具体的实例来掌握，缺陷符号和缺陷反应式。

注意：弗朗克缺陷是离子进入到晶格间隙中形成间隙质点而肖特基缺陷是正负离子同时迁移到晶格表面。以AgBr形成弗朗克缺陷，Ag+进入到晶格间隙，使得晶格间隙处带上一个单位的正电荷，相比较以拿走一个Ag原子（电荷不变），少带走了一个电子，则其原子Ag原子的位置处带上一个单位的负电荷。

（1）低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷。为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子。

（2）高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷。为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。