本期封面报道单位   无锡中微高科电子有限公司

 封面文章  3D堆叠封装热阻矩阵研究

中文引用格式：黄卫, 蒋涵, 张振越, 等. 3D堆叠封装热阻矩阵研究 [J]. 电子与封装, 2022, 22(5): 050203.

3D芯片堆叠技术将具有相同功能的裸芯片实现空间上的堆叠，相比传统的MCM、2.5D封装，其在降低空间尺寸的同时能够实现高密度、高速率的信息传递。芯片堆叠通过硅通孔（TSV）、再布线（RDL），实现芯片间的数据传递连通。多芯片封装具有芯片组装密度高、体积小的特点，随着封装技术的逐渐发展和成熟，多芯片封装体可靠性、稳定性明显提升，现已成为电子封装领域研究的热点方向。热作为影响其寿命的主要因素之一，受到越来越多的重视。

在一个封装体内部多芯片同时发热时，除芯片本身产生的热量外，芯片之间热扩散与耦合效应会造成芯片结温进一步增高，芯片温度对提高多芯片封装组件稳定性具有非常重要的意义。工程传热学仿真技术的迅速发展，使用模拟技术分析多芯片组件的热耦合效应能够有效预测封装体温度分布，大大提高了多芯片封装技术的热学可靠性。

无锡中微高科电子有限公司是专业的集成电路封装生产研制单位，通过《3D堆叠封装热阻矩阵研究》一文中分析了多芯片之间热耦合效应，并在此基础上，根据建立模型确定三层堆叠芯片热阻矩阵，在此基础上可实现构建更多芯片之间堆叠后的封装体热阻矩阵。