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2021年半导体器件（H01L）类的中国局专利的发展竞争态势——京东方、中芯国际、台积电、长江存储领先
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陈立新 张琳 黄颖：中美欧日韩五局专利报告1996.docx
█武汉大学科教管理与评价研究中心 陈立新 张琳 黄颖
第一部分 2021年中国国家发明专利统计分析报告
7 主要技术类别下中国局专利的发展竞争态势
7.3 半导体器件（H01L）类的中国局专利的发展态势及竞争
2021年，中国局在半导体器件（H01L）小类上共授权专利19321项，比上一年增长12%，其占总授权量的3%，是专利数量第8多的小类。近年来，半导体技术专利的增长速度相对较低。
图7.3-1 半导体器件H01L类的中国局专利增长情况
我国国内的专利数量较多，占该小类专利份额的72%，比其他小类的份额相对偏低10多个百分点，表明我国半导体技术实力不强。国内专利中仅有2%的专利属于该小类，表明我国在该技术上的构成比重较低。总体来看，我国国内专利在半导体器件技术上的构成低于韩国、日本和美国，韩国是我国的5倍，这说明我国的半导体技术构成偏低，技术结构发展不合理，不平衡。
表7.3-1 2021年各国半导体器件H01L类的中国局专利数量
国家 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成比重 | |
1 | 中国 | 13931 | 72% | 2% |
2 | 日本 | 2426 | 13% | 7% |
3 | 美国 | 974 | 5% | 3% |
4 | 德国 | 312 | 2% | 3% |
5 | 韩国 | 1203 | 6% | 11% |
6 | 法国 | 74 | 0% | 2% |
7 | 瑞士 | 35 | 0% | 1% |
8 | 荷兰 | 83 | 0% | 4% |
9 | 开曼群岛 | 15 | 0% | 1% |
10 | 瑞典 | 11 | 0% | 1% |
11 | 英国 | 48 | 0% | 3% |
12 | 意大利 | 24 | 0% | 2% |
13 | 新加坡 | 43 | 0% | 4% |
14 | 丹麦 | 1 | 0% | 0% |
15 | 其他 | 141 | 1% | 2% |
小计 | 19321 | 100% | 3% |
注：本表按照第一权利人进行统计。
2021年，北京获得半导体器件H01L类国家专利2000多项，占该小类的份额为15%，占北京市专利的3%；其次是江苏，达到1800多项，占该小类的份额为13%，占江苏省专利的3%。台湾、湖北和上海在半导体器件技术上的构成比重最高，表明这三地聚焦半导体技术研发并集中了大量的半导体技术研发力量，是半导体专业化程度较高的地区。
表7.3-2 2021年国内各省市区半导体器件H01L类专利数量
省区 | 专利数量 | 专利份额 | 技术构成 | |
1 | 广东 | 1789 | 13% | 2% |
2 | 北京 | 2140 | 15% | 3% |
3 | 江苏 | 1805 | 13% | 3% |
4 | 浙江 | 824 | 6% | 1% |
5 | 山东 | 226 | 2% | 1% |
6 | 上海 | 1541 | 11% | 5% |
7 | 安徽 | 350 | 3% | 1% |
8 | 湖北 | 1443 | 10% | 6% |
9 | 四川 | 394 | 3% | 2% |
10 | 湖南 | 164 | 1% | 1% |
11 | 陕西 | 379 | 3% | 2% |
12 | 河南 | 72 | 1% | 1% |
13 | 福建 | 305 | 2% | 2% |
14 | 辽宁 | 106 | 1% | 1% |
15 | 重庆 | 112 | 1% | 1% |
16 | 河北 | 299 | 2% | 3% |
17 | 天津 | 123 | 1% | 2% |
18 | 台湾 | 1405 | 10% | 20% |
19 | 江西 | 84 | 1% | 1% |
20 | 黑龙江 | 35 | 0% | 1% |
21 | 吉林 | 157 | 1% | 3% |
22 | 广西 | 25 | 0% | 1% |
23 | 山西 | 55 | 0% | 1% |
24 | 云南 | 15 | 0% | 0% |
25 | 贵州 | 11 | 0% | 0% |
26 | 甘肃 | 19 | 0% | 1% |
27 | 内蒙古 | 7 | 0% | 0% |
28 | 新疆 | 4 | 0% | 0% |
29 | 宁夏 | 5 | 0% | 0% |
30 | 海南 | 4 | 0% | 0% |
31 | 香港 | 30 | 0% | 3% |
32 | 青海 | 1 | 0% | 0% |
33 | 西藏 | 1 | 0% | 1% |
34 | 澳门 | 1 | 0% | 1% |
注：本表数据按照第一权利人统计。
图7.3-2 2021年国内各省市区半导体器件H01L类专利的数量分布
图7.3-3 2021年国内各省市区半导体器件H01L类专利的技术构成比重
整体来看，国内的发明专利高度集中在北京、江苏、广东、上海、湖北、台湾、浙江、四川，这8个省市在2021年获得的专利数量共占国内的81%，是我国半导体技术研发的重要地区。
2021年，在半导体器件（H01L）小类上获得中国局专利授权最多的机构是京东方科技集团股份有限公司，其次是长江存储科技有限责任公司和台湾积体电路制造股份有限公司。从技术构成上看，中芯国际、台积电、长江存储等公司的比重较高，均超过70%，这些公司一多半的专利属于半导体器件（H01L）类，半导体技术是其研发重点，其研发的专业化程度较高。
表7.3-3 2021年半导体器件H01L类中国局专利授权前100家机构
机构名称 | 专利数量 | 技术构成 | |
1 | 京东方科技集团股份有限公司 | 1159 | 32% |
2 | 长江存储科技有限责任公司 | 553 | 81% |
3 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 507 | 76% |
4 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 364 | 80% |
5 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 343 | 64% |
6 | 三星电子株式会社 | 269 | 12% |
7 | 乐金显示有限公司 | 237 | 39% |
8 | 电子科技大学 | 209 | 9% |
9 | 三星显示有限公司 | 189 | 33% |
10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 168 | 39% |
11 | 云谷（固安）科技有限公司 | 159 | 58% |
12 | 联华电子股份有限公司 | 155 | 95% |
13 | TCL科技集团股份有限公司 | 151 | 52% |
14 | 昆山国显光电有限公司 | 144 | 50% |
15 | 武汉天马微电子有限公司 | 136 | 43% |
16 | 株式会社LG化学 | 127 | 13% |
17 | 中国科学院微电子研究所 | 126 | 44% |
18 | 上海天马微电子有限公司 | 115 | 38% |
18 | 应用材料公司 | 115 | 53% |
20 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 113 | 51% |
21 | 东京毅力科创株式会社 | 108 | 61% |
21 | 华南理工大学 | 108 | 5% |
21 | 西安电子科技大学 | 108 | 7% |
21 | 英特尔公司 | 108 | 13% |
25 | 索尼公司 | 105 | 12% |
26 | 三菱电机株式会社 | 104 | 9% |
27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 101 | 63% |
28 | 友达光电股份有限公司 | 98 | 25% |
29 | 华中科技大学 | 97 | 5% |
30 | 瑞萨电子株式会社 | 92 | 56% |
31 | 上海华力微电子有限公司 | 90 | 58% |
32 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 84 | 53% |
32 | 英飞凌科技股份有限公司 | 84 | 40% |
34 | 株式会社半导体能源研究所 | 83 | 71% |
35 | 德淮半导体有限公司 | 79 | 94% |
36 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 77 | 71% |
37 | 富士电机株式会社 | 75 | 42% |
38 | 晶芯成（北京）科技有限公司 | 72 | 89% |
39 | TCL华星光电技术有限公司 | 71 | 15% |
39 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 71 | 88% |
41 | 惠科股份有限公司 | 70 | 18% |
42 | 厦门天马微电子有限公司 | 68 | 17% |
43 | 浙江大学 | 64 | 2% |
43 | 株式会社迪思科 | 64 | 46% |
45 | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 | 63 | 93% |
45 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 63 | 90% |
47 | 群创光电股份有限公司 | 61 | 44% |
48 | 西安交通大学 | 60 | 3% |
48 | 中国科学院半导体研究所 | 60 | 31% |
48 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 60 | 23% |
51 | 科磊股份有限公司 | 56 | 47% |
51 | 株式会社斯库林集团 | 56 | 51% |
53 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 53 | 90% |
53 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 53 | 46% |
55 | 上海和辉光电股份有限公司 | 51 | 57% |
56 | 爱思开海力士有限公司 | 50 | 13% |
56 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 50 | 44% |
56 | 夏普株式会社 | 50 | 8% |
59 | 华为技术有限公司 | 49 | 1% |
59 | 武汉华星光电技术有限公司 | 49 | 22% |
61 | 南京邮电大学 | 48 | 5% |
62 | 日东电工株式会社 | 46 | 16% |
62 | 无锡华润上华科技有限公司 | 46 | 84% |
62 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 46 | 96% |
65 | 株式会社尼康 | 45 | 25% |
66 | 高通股份有限公司 | 44 | 3% |
66 | 株式会社电装 | 44 | 10% |
68 | 富士胶片株式会社 | 43 | 9% |
68 | 长鑫存储技术有限公司 | 43 | 55% |
70 | 松下知识产权经营株式会社 | 42 | 5% |
70 | 旺宏电子股份有限公司 | 42 | 48% |
70 | 株式会社村田制作所 | 42 | 9% |
73 | 索尼半导体解决方案公司 | 41 | 44% |
74 | 北京大学 | 40 | 6% |
74 | 广东工业大学 | 40 | 3% |
74 | 清华大学 | 40 | 2% |
77 | 苏州大学 | 39 | 6% |
78 | 东芝存储器株式会社 | 38 | 44% |
78 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | 38 | 97% |
78 | 长春海谱润斯科技股份有限公司 | 38 | 100% |
81 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 37 | 39% |
82 | 信越化学工业株式会社 | 36 | 17% |
82 | 甬矽电子（宁波）股份有限公司 | 36 | 73% |
84 | 大连理工大学 | 35 | 2% |
84 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 35 | 59% |
84 | 三星SDI株式会社 | 35 | 16% |
84 | 深圳第三代半导体研究院 | 35 | 70% |
84 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 35 | 27% |
89 | LG伊诺特有限公司 | 34 | 18% |
89 | 晶元光电股份有限公司 | 34 | 92% |
89 | 琳得科株式会社 | 34 | 42% |
89 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 34 | 79% |
89 | 株式会社国际电气 | 34 | 94% |
94 | 中山大学 | 33 | 3% |
95 | 美光科技公司 | 32 | 17% |
95 | 山东大学 | 32 | 2% |
95 | 株式会社日本显示器 | 32 | 32% |
98 | TDK株式会社 | 31 | 47% |
98 | 东丽株式会社 | 31 | 14% |
98 | 朗姆研究公司 | 31 | 60% |
注：本表数据按照第一权利人进行统计。
图7.3-4 2021年半导体器件H01L类中国局专利授权前30家机构
图7.3-5 2021年30家机构的半导体器件技术比重
致谢
感谢河南师范大学梁立明教授、科技部中国科学技术发展战略研究院武夷山研究员、大连理工大学丁堃教授对本报告的大力支持与帮助。同时，向以不同形式对本报告提出意见和建议的专家学者们表示诚挚的感谢。
https://blog.sciencenet.cn/blog-681765-1320622.html
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