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《电子与封装》2022年“碳化硅功率半导体技术”专题分享
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邓小川，电子科技大学教授，博士生导师，一直从事宽禁带半导体碳化硅功率器件理论、模型、新结构和可靠性研究，在碳化硅功率器件领域主持承担了国家科技重大专项、国家重点研发计划、挑战计划项目、国家自然科学基金重点/面上项目等国家级、省部级和横向课题30余项；在半导体器件领域顶级期刊IEEE Trans on Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、IEEE Trans Industrial Electronics、IEEE Trans Electron Device以及本领域顶级会议ISPSD、ICSCRM等国际学术会议上发表论文80余篇；授权中国发明专利10余项，获得北京市科技发明二等奖。
王 俊，湖南大学电气与信息工程学院教授，博士生导师，长期从事功率半导体器件及其应用的研究。IEEE高级会员，IEEE JESTPE和IET Power Electronics期刊编委，发表SCI论文48篇，拥有3项授权美国发明专利、1项日本发明专利、18项中国专利。主持和承担了多个国家级、省部级和横向课题，和国内多家科研单位和企业联合开展了技术开发和项目合作，一些功率半导体及应用技术发明已实现产业化应用。
（点击标题可至《电子与封装》官网下载全文） 或可进入知网直达链接查看 周泽坤, 曹建文, 张志坚, 张 波 2022年第22卷第2期 pp. 020101 |
| 碳化硅器件挑战现有封装技术 知网直达链接 曹建武, 罗宁胜, Pierre Delatte, Etienne Vanzieleghem, Rupert Burbidge 2022年第22卷第2期 pp. 020102 |
| SiC车用电机驱动研究发展与关键技术 知网直达链接 宁圃奇, 郑 丹, 康玉慧, 陈永胜, 崔 健, 张 栋, 李 晔, 范 涛 2022年第22卷第3期 pp. 030101 |
| 10 kV SiC GTO器件特性研究* 知网直达链接 程 琳;罗佳敏;龚存昊;张有润;唐 毅;门富媛;都小利 2022年第22卷第3期 pp. 030102 |
| 4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展* 知网直达链接 白志强, 张玉明, 汤晓燕, 沈应喆, 徐会源 2022年第22卷第4期 pp. 040101 |
| 超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造* 知网直达链接 杨晓磊;李士颜;赵志飞;李 赟;黄润华;柏松 2022年第22卷第4期 pp. 040102 |
| 碳化硅器件封装进展综述及展望* 知网直达链接 杜泽晨;张一杰;张文婷;安运来;唐新灵;杜玉杰;杨霏;吴军民 2022年第22卷第5期 pp. 050102 |
| SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展* 知网直达链接 杨治美;高旭;李芸;黄铭敏;马瑶;龚敏 2022年第22卷第5期 pp. 050101 |
| SiC功率器件辐照效应研究进展 知网待出版 刘超铭, 王雅宁, 魏轶聃, 王天琦, 齐春华, 张延清, 马国亮, 刘国柱, 魏敬和, 霍明学 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0605 |
| 轨道交通碳化硅器件研究进展 知网待出版 李诚瞻, 周才能, 秦光远, 宋 瓘, 陈喜明, DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0606 |
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