本期封面报道单位 中科芯集成电路有限公司   无锡中微晶园电子有限公司

 封面文章 全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介

中文引用格式：赵晓松，顾  祥，张庆东，吴建伟，洪根深. 全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介[J]. 电子与封装, 2022, 22(6): 060501.

随着摩尔定律推进到3 nm及以下，晶体管尺寸的进一步缩小逐渐受到物理极限的限制，导致了工艺制备和设计成本的提高，尺寸微缩优势减小。功能性和功耗逐渐成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点，为满足以上需求，全耗尽绝缘层上硅（Fully Depleted Silicon on Insulator，FDSOI）技术被进一步研发和产品化。相比于主流体硅技术，FDSOI技术基于SOI衬底，在超薄硅膜上制备金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）等集成电路基本器件。FDSOI技术利用体偏置平衡功耗与性能，采用应力优化提高迁移率，通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容，同时兼容射频应用，已经被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式储存器等低功耗产品中。FDSOI技术具有巨大的市场潜力，将成为未来重要的发展趋势之一。

中科芯工艺事业部工艺研发团队，深耕工艺及器件研发领域，拥有设计、工艺、器件等多个研究方向，完成了多个节点的体硅及SOI工艺平台开发，具有坚实的特种工艺研发基础，部分特种工艺平台能力已经达到业内先进水准。关于FDSOI技术的特点及生态环境概况，赵晓松博士团队撰写了综述《全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介》一文，欢迎阅读、交流。